CY7C1354B-166BGC和CY7C1354C-166BGC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1354B-166BGC CY7C1354C-166BGC

描述 9 -MB ( 256K ×36 / 512K ×18 )流水线SRAM与NOBL架构 9-Mb (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture9兆位( 256千×五百十二分之三十六K&times 18 )流水线SRAM与NOBL ™架构 9-Mbit (256 K × 36/512 K × 18) Pipelined SRAM with NoBL? Architecture

数据手册 --

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 BGA-119 BGA-119

引脚数 - 119

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) -

时钟频率 166MHz (max) -

存取时间 166 µs 3.5 ns

内存容量 9000000 B -

电源电压 3.135V ~ 3.6V 3.135V ~ 3.6V

供电电流 - 180 mA

位数 - 36

存取时间(Max) - 3.5 ns

工作温度(Max) - 70 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃

封装 BGA-119 BGA-119

高度 - 1.46 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Bulk Tray

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

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