2N1613L和JAN2N1613L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N1613L JAN2N1613L JANTX2N1613

描述 NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTORNPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTORNPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-5 TO-5 TO-205

极性 - NPN NPN

耗散功率 - - 0.8 W

击穿电压(集电极-发射极) - 30 V 30 V

集电极最大允许电流 - 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) - - 40 @150mA, 10V

额定功率(Max) - - 800 mW

工作温度(Max) 175 ℃ - 200 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 800 mW - 800 mW

封装 TO-5 TO-5 TO-205

材质 Silicon - Silicon

工作温度 - - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag - Bulk

RoHS标准 Non-Compliant - Non-Compliant

含铅标准 Lead Free -

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