FQP11N50CF和SF45的区别_FQP11N50CF代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETPower Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA500V N沟道MOSFET改进dv / dt能力 500V N-Channel MOSFET Improved dv/dt capability

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Harris Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - -

封装 TO-220-3 - SFM

漏源极电阻 480 mΩ - -

极性 N-Channel - -

耗散功率 195 W - -

漏源极电压(Vds) 500 V - -

漏源击穿电压 500 V - -

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 11.0 A - -

上升时间 70 ns - -

输入电容(Ciss) 2055pF @25V(Vds) - -

额定功率(Max) 195 W - -

下降时间 75 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 195W (Tc) - -

长度 10.67 mm - -

宽度 4.7 mm - -

高度 16.3 mm - -

封装 TO-220-3 - SFM

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 Tube - -

RoHS标准 RoHS Compliant - -

含铅标准 Lead Free - -

ECCN代码 EAR99 - -