对比图
型号 IXFH11N80 STW10NK80Z STW8NK80Z
描述 Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3Pin(3+Tab) TO-247ADSTMICROELECTRONICS STW10NK80Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 800 V, 900 mohm, 10 V, 3.75 VSTMICROELECTRONICS STW8NK80Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 800 V 800 V 800 V
额定电流 11.0 A 9.00 A 6.20 A
耗散功率 300 W 160 W 140 W
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V
连续漏极电流(Ids) 11.0 A 9.00 A 6.20 A
上升时间 33 ns 20 ns 30 ns
输入电容(Ciss) 4200pF @25V(Vds) 2180pF @25V(Vds) 1320pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 W 160 W 140 W
下降时间 32 ns 17 ns 28 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 160W (Tc) 140W (Tc)
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 900 mΩ 1.5 Ω
极性 - N-Channel N-Channel
阈值电压 - 3.75 V 3.75 V
漏源击穿电压 - 800 V 800 V
栅源击穿电压 - ±30.0 V ±30.0 V
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
长度 - 15.75 mm 15.75 mm
宽度 - 5.15 mm 5.15 mm
高度 - 20.15 mm 20.15 mm
材质 Silicon - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
香港进出口证 - NLR -