对比图
型号 IRF7769L2TR1PBF IRF7769L2TRPBF
描述 Direct-FET N-CH 100V 20A晶体管, MOSFET, N沟道, 124 A, 100 V, 0.0028 ohm, 10 V, 2.7 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 5 15
封装 DirectFET-L8 Direct-FET
额定功率 125 W 125 W
通道数 1 1
漏源极电阻 0.0028 Ω 0.0028 Ω
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 125 W 3.3 W
阈值电压 2.7 V 2.7 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V -
连续漏极电流(Ids) 20A 20A
上升时间 32 ns 32 ns
输入电容(Ciss) 11560pF @25V(Vds) 11560pF @25V(Vds)
下降时间 41 ns 41 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
耗散功率(Max) 3.3W (Ta), 125W (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc)
针脚数 - 8
工作温度(Min) - -55 ℃
长度 9.15 mm 9.15 mm
宽度 7.1 mm 7.1 mm
高度 0.74 mm 0.74 mm
封装 DirectFET-L8 Direct-FET
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - Silicon
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17 -