PHT6NQ10T和PHT6NQ10T,135

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PHT6NQ10T PHT6NQ10T,135 FQT7N10LTF

描述 NXP  PHT6NQ10T  晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 100 V, 90 mohm, 10 V, 3 VN 通道 MOSFET,100V 及更高,Nexperia### MOSFET 晶体管,NXP SemiconductorsFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQT7N10LTF  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 100 V, 275 mohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 4

封装 SOT-223 TO-261-4 TO-261-4

针脚数 4 4 4

漏源极电阻 90 mΩ 0.09 Ω 275 mΩ

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 8.3 W 1.8 W 2 W

阈值电压 3 V 3 V 2 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

输入电容 - 633 pF 220 pF

上升时间 - 15 ns 100 ns

输入电容(Ciss) - 633pF @25V(Vds) 290pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 8.3 W 2 W

下降时间 - 10 ns -

工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) 2W (Tc)

额定电压(DC) - - 100 V

额定电流 - - 1.70 A

栅电荷 - - 4.60 nC

漏源击穿电压 - - 100 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - - 1.70 A, 1.70 mA

封装 SOT-223 TO-261-4 TO-261-4

长度 - 6.7 mm 6.5 mm

宽度 - 3.7 mm 3.56 mm

高度 - 1.7 mm 1.6 mm

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99

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