BUK7275-100A,118和FQD19N10LTM

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK7275-100A,118 FQD19N10LTM STD15NF10T4

描述 BUK 系列 100 V 75 mOhm 84 W TrenchMOS 标准电平 FET - SOT-428FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD19N10LTM  晶体管, MOSFET, N沟道, 15.6 A, 100 V, 0.074 ohm, 10 V, 2 VSTMICROELECTRONICS  STD15NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

漏源极电阻 0.064 Ω 0.074 Ω 0.065 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 89 W 50 W 70 W

阈值电压 3 V 2 V 3 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 21.7 A 15.6 A 23.0 A

上升时间 39 ns 410 ns 45 ns

输入电容(Ciss) 1210pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 89 W 2.5 W 70 W

下降时间 24 ns 140 ns 17 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃

耗散功率(Max) 89W (Tc) 2.5 W 70W (Tc)

额定电压(DC) - 100 V 100 V

额定电流 - 15.6 A 23.0 A

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 3

漏源击穿电压 - 100 V 100 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.6 mm 6.6 mm

宽度 - 6.1 mm 6.2 mm

高度 - 2.3 mm 2.4 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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