IRFZ48ZPBF和STP65NF06

对比图

型号 IRFZ48ZPBF STP65NF06 STP60N55F3

描述 Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3Pin(3+Tab) TO-220ABSTMICROELECTRONICS  STP65NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 11.5 mohm, 10 V, 4 VN沟道55V - 6.5mohm - 80A - DPAK - IPAK - D2PAK - TO- 220 / FP的STripFET TM功率MOSFET N-channel 55V - 6.5mohm - 80A - DPAK - IPAK - D2PAK - TO-220/FP STripFET TM Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 55.0 V 60.0 V -

额定电流 61.0 A 60.0 A -

额定功率 91 W - -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 91 W 110 W 110 W

产品系列 IRFZ48Z - -

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 61.0 A 30.0 A -

上升时间 69.0 ns 60 ns 50 ns

输入电容(Ciss) 1720pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 91 W 110 W 110 W

下降时间 - 16 ns 11.5 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 110W (Tc) 110W (Tc)

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.0115 Ω -

阈值电压 - 4 V -

输入电容 - 1.70 nF -

栅电荷 - 75.0 nC -

漏源击穿电压 - 60 V -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 4.6 mm -

高度 - 15.75 mm -

产品生命周期 Unknown Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99