FQPF4N80和SPP11N80C3

对比图

型号 FQPF4N80 SPP11N80C3 FQP8N80C

描述 800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFETINFINEON  SPP11N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 VON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP8N80C, 8 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220AB封装

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 3.60 Ω 0.39 Ω 1.29 Ω

耗散功率 43W (Tc) 156 W 178 W

阈值电压 - 3 V 5 V

输入电容 - - 1580 pF

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

上升时间 - 15 ns 110 ns

输入电容(Ciss) 880pF @25V(Vds) 1600pF @100V(Vds) 1580pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 43 W 156 W 178 W

下降时间 - 7 ns 70 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 43W (Tc) 156 W 178000 mW

额定电压(DC) 800 V 800 V -

额定电流 2.20 A 11.0 A -

极性 N-Channel N-Channel -

漏源击穿电压 800 V - -

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 2.20 A 11.0 A -

额定功率 - 156 W -

长度 - 10.36 mm 10.1 mm

宽度 - 4.57 mm 4.7 mm

高度 - 9.45 mm 9.4 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -