MMBT5401WT1G和NSVMMBT5401LT3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT5401WT1G NSVMMBT5401LT3G SMMBT5401LT1G

描述 高压晶体管 High Voltage TransistorMMBT5401L: 高电压 PNP 双极晶体管MMBT 系列 150 V 500 mA 表面贴装 PNP 硅 晶体管 - SOT-23-3

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SC-70-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 300 MHz 300 MHz 300 MHz

针脚数 - - 3

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 0.4 W 0.3 W 225 mW

增益频宽积 - - 300 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 150 V 150 V 150 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 60 @10mA, 5V 60 @10mA, 5V 60 @10mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - - 240

额定功率(Max) 400 mW 225 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) - - 50

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 400 mW 300 mW 300 mW

长度 - - 3.04 mm

宽度 - - 1.4 mm

高度 - - 1.01 mm

封装 SC-70-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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