DS1230AB-70IND和DS1230AB-70IND+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1230AB-70IND DS1230AB-70IND+ DS1230Y-70IND+

描述 IC NVSRAM 256Kbit 70NS 28DIPMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1230AB-70IND+  芯片, 存储器, NVRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1230Y-70IND+  芯片, 存储器, NVRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 28 28 28

封装 DIP-28 EDIP-28 EDIP-28

电源电压(DC) 4.75V (min) 4.75V (min) 5.00 V, 5.50 V (max)

针脚数 - 28 28

存取时间 70.0 ns 70 ns 70 ns

内存容量 32000 B 32000 B 32000 B

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) - 5.25 V 5.5 V

电源电压(Min) - 4.75 V 4.5 V

时钟频率 70.0 GHz - 70.0 GHz

长度 - 39.12 mm 39.37 mm

宽度 - 18.8 mm 18.8 mm

高度 - 9.4 mm 10.67 mm

封装 DIP-28 EDIP-28 EDIP-28

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Each Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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