BSS84和BSS84,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSS84 BSS84,215 BSS84LT1G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BSS84  晶体管, MOSFET, P沟道, -130 mA, -50 V, 1.2 ohm, -5 V, -1.7 VNXP  BSS84,215  晶体管, MOSFET, P沟道, -130 mA, -50 V, 6 ohm, -10 V, -2 VON SEMICONDUCTOR  BSS84LT1G  晶体管, MOSFET, P沟道, 130 mA, -50 V, 10 ohm, 5 V, -2 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) -50.0 V - -50.0 V

额定电流 -130 mA - -130 mA

额定功率 360 mW - 0.225 W

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 1.2 Ω 6 Ω 10 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 360 mW 250 mW 225 mW

输入电容 73.0 pF - 36pF @5V

栅电荷 1.30 nC - -

漏源极电压(Vds) 50 V 50 V 50 V

漏源击穿电压 -50.0 V - 50 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 130 mA -130 mA 130 mA

上升时间 6.3 ns - 9.7 ns

输入电容(Ciss) 73pF @25V(Vds) 45pF @25V(Vds) 30pF @5V(Vds)

额定功率(Max) 360 mW 250 mW 225 mW

下降时间 4.8 ns - 1.7 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 360mW (Ta) 250 mW 225 mW

无卤素状态 - - Halogen Free

通道数 - - 1

阈值电压 - - 2 V

正向电压(Max) - - 2.2 V

长度 2.92 mm 3 mm 2.9 mm

宽度 1.3 mm 1.4 mm 1.3 mm

高度 0.93 mm 1 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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