对比图
型号 FQA24N50F IXFK64N50P FDH44N50
描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETIXYS SEMICONDUCTOR IXFK64N50P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 64 A, 500 V, 85 mohm, 10 V, 5.5 VON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDH44N50, 44 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) IXYS Semiconductor ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-3-3 TO-264-3 TO-247-3
额定电压(DC) 500 V 500 V -
额定电流 24.0 A 64.0 A -
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 200 mΩ 0.085 Ω 0.11 Ω
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 290W (Tc) 830 W 750 W
阈值电压 - 5.5 V 3.15 V
输入电容 - 8.70 nF -
栅电荷 - 150 nC -
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V 500 V -
连续漏极电流(Ids) 24.0 A 64.0 A -
输入电容(Ciss) 4500pF @25V(Vds) 8700pF @25V(Vds) 5335pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 290 W 830 W 750 W
工作温度(Max) - 150 ℃ 175 ℃
耗散功率(Max) 290W (Tc) 830W (Tc) 750 W
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
上升时间 - - 84 ns
下降时间 - - 79 ns
工作温度(Min) - - -55 ℃
封装 TO-3-3 TO-264-3 TO-247-3
长度 - - 15.87 mm
宽度 - - 4.82 mm
高度 - - 20.82 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 EAR99 - -