对比图
型号 FDPF8N60ZUT FQPF6N60C FDPF8N50NZ
描述 UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF6N60C 功率场效应管, MOSFET, 通用, N沟道, 5.5 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 4 VTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3Pin(3+Tab) TO-220F Tube
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 600 V -
额定电流 - 5.50 A -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 1.15 Ω 2 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 34.5 W 40 W 40.3 W
阈值电压 5 V 4 V 5 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 500 V
漏源击穿电压 600 V 600 V -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 6.5A 5.50 A 8A
上升时间 30 ns 45 ns 34 ns
输入电容(Ciss) 1265pF @25V(Vds) 810pF @25V(Vds) 735pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 34.5 W 40 W 40.3 W
下降时间 35 ns 45 ns 27 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 34.5W (Tc) 40W (Tc) 40.3W (Tc)
通道数 1 - -
长度 10.36 mm 10.67 mm 10.16 mm
宽度 4.9 mm 4.7 mm 4.7 mm
高度 16.07 mm 16.3 mm 15.87 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -
ECCN代码 - EAR99 -
香港进出口证 - - NLR