IRFB3307ZPBF和STP140NF75

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFB3307ZPBF STP140NF75 PHP160NQ08T,127

描述 75V,5.8mΩ,120A,N沟道功率MOSFETSTMICROELECTRONICS  STP140NF75  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 7.5 mohm, 10 V, 4 VTO-220AB N-CH 75V 75A

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 75.0 V 75.0 V -

额定电流 120 A 120 A -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 5.8 mΩ 0.0075 Ω 90 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 230 W 310 W 300 W

阈值电压 4 V 4 V -

输入电容 4.75 nF 5000 pF -

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

漏源击穿电压 - 75.0 V 75 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 120 A 120 A 75A

上升时间 - 140 ns 56 ns

输入电容(Ciss) 4750pF @50V(Vds) 5000pF @25V(Vds) 5585pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 230 W 310 W 300 W

下降时间 - 90 ns 48 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 310W (Tc) 300W (Tc)

产品系列 IRFB3307Z - -

栅电荷 110 nC - -

通道数 - - 1

长度 - 10.4 mm 10.3 mm

宽度 - 4.6 mm 4.7 mm

高度 - 9.15 mm 9.4 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Rail

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2014/12/17 2014/06/16 -

ECCN代码 - EAR99 -

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