对比图
型号 IRLML6401GTRPBF IRLML6401PBF IRLML6401TRPBF
描述 HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRLML6401PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -12 V, 50 mohm, -4.5 V, -550 mVINFINEON IRLML6401TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -12 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -550 mV
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3
额定功率 - - 1.3 W
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 50 mΩ 0.05 Ω 0.05 Ω
极性 P-Channel P-CH P-Channel
耗散功率 1.3 W 1.3 W 1.3 W
阈值电压 0.55 V 550 mV 550 mV
输入电容 - - 830 pF
漏源极电压(Vds) 12 V 12 V 12 V
连续漏极电流(Ids) 4.3A 4.3A 4.3A
上升时间 32 ns - 32 ns
输入电容(Ciss) 830pF @10V(Vds) - 830pF @10V(Vds)
额定功率(Max) - - 1.3 W
下降时间 210 ns - 210 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 1.3W (Ta) - 1.3W (Ta)
通道数 1 - -
漏源击穿电压 12 V - -
长度 3.04 mm - 3.04 mm
宽度 2.64 mm - 1.4 mm
高度 1.02 mm - 1.02 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17