JAN2N2222A和JANS2N2222A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N2222A JANS2N2222A 2N2222A

描述 Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 3Pin TO-18 Bulk每NPN型硅开关晶体管合格MIL -PRF- 255分之19500 NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/255Trans GP BJT NPN 75V 0.6A 625mW Automotive 3Pin TO-92 Ammo

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Microsemi (美高森美) Diotec Semiconductor

分类 晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-18-3 TO-18-3 TO-92

耗散功率 - 0.5 W 625 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 50 V -

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @150mA, 10V -

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 500 mW 500 mW 625 mW

频率 - - 250 MHz

增益频宽积 - - 250 MHz

极性 NPN - -

最大电流放大倍数(hFE) 325 - -

封装 TO-18-3 TO-18-3 TO-92

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tray Ammo Pack

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead -

军工级 Yes - -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台