BC847BDW1T1G和BC847BDW1T3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC847BDW1T1G BC847BDW1T3G BC847BS-7-F

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC847BDW1T1G.  双极性晶体管阵列, NPN, 双路, 45V, SOT363ON SEMICONDUCTOR  BC847BDW1T3G  Bipolar (BJT) Single Transistor, Dual NPN, 45 V, 100 MHz, 380 mW, 100 mA, 200 hFE 新BC847BS 系列 双 NPN 45 V 200 mW 小信号晶体管 表面贴装 - SOT-363

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6

频率 100 MHz 100 MHz 100 MHz

额定电压(DC) 45.0 V 45.0 V -

额定电流 100 mA 100 mA -

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

针脚数 6 6 6

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 380 mW 380 mW 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V

额定功率(Max) 380 mW 380 mW 200 mW

直流电流增益(hFE) 450 200 200

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 380 mW 380 mW 200 mW

额定功率 - - 0.2 W

长度 2 mm 2 mm -

宽度 1.25 mm 1.25 mm -

高度 0.9 mm 0.95 mm 1 mm

封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

军工级 - - Yes

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 - - NLR

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