BC 850C B5003和BC847CT116

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC 850C B5003 BC847CT116 BC850CE6327HTSA1

描述 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon AF TRANSISTORSOT-23 NPN 45V 0.1A单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 45.0 V 45.0 V 45.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 100 mA

耗散功率 330 mW 0.35 W 0.33 W

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

最小电流放大倍数(hFE) 420 @2mA, 5V 420 420 @2mA, 5V

额定功率(Max) 330 mW 350 mW 330 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ 55 ℃ -65 ℃

频率 - - 250 MHz

极性 - N-Channel, NPN NPN

集电极最大允许电流 - 0.1A 0.1A

耗散功率(Max) - 350 mW 330 mW

增益频宽积 - 200 MHz -

最大电流放大倍数(hFE) - 800 -

长度 2.9 mm 2.9 mm 2.9 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm

高度 1 mm 0.95 mm 0.9 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Last Time Buy

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

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