对比图
型号 IPD50N06S4L-08 IPD50N06S4L-12 IPD90N06S4L-03
描述 的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-TransistorMOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
引脚数 3 3 -
通道数 1 - 1
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 71 W 50 W 150 W
阈值电压 1.2 V - 1.2 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 50A 50A 90A
上升时间 2 ns 2 ns 6 ns
下降时间 8 ns 5 ns 20 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
输入电容(Ciss) 4780pF @25V(Vds) 2220pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 71 W - -
耗散功率(Max) 71000 mW 50 W -
长度 6.5 mm 6.5 mm 6.5 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.3 mm 2.3 mm 2.3 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 - EAR99
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -