AO4822A和IRF7313PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AO4822A IRF7313PBF IRF7313TRPBF

描述 30V,8.5A,双N沟道MOSFETINTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7313PBF  双路场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, SOIC 新MOSFET, Power; Dual N-Ch; VDSS 30V; RDS(ON) 0.029Ω; ID 6.5A; SO-8; PD 2W; VGS +/-20V

数据手册 ---

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) International Rectifier (国际整流器) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) - 30.0 V 30.0 V

额定电流 - 6.50 A 6.50 A

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 - 0.029 Ω 0.046 Ω

极性 N-CH N-Channel, Dual N-Channel Dual N-Channel

耗散功率 2 W 2 W 2 W

产品系列 - IRF7313 IRF7313

阈值电压 - 1 V 1 V

输入电容 - 650pF @25V 650pF @25V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 8A 6.50 A 6.50 A

上升时间 3.5 ns 8.90 ns 8.90 ns

热阻 - 62.5℃/W (RθJA) -

输入电容(Ciss) 888pF @15V(Vds) 650pF @25V(Vds) 650pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

工作结温(Max) - 150 ℃ -

额定功率 1.3 W - -

下降时间 3.5 ns - -

耗散功率(Max) 2000 mW - -

长度 - 5 mm 5 mm

高度 - 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Rail, Tube Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2014/12/17 -

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