IRF7328PBF和IRF7328TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7328PBF IRF7328TRPBF FDS6975

描述 INFINEON  IRF7328PBF  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 8 A, -30 V, 0.017 ohm, -10 V, -2.5 VINTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7328TRPBF  场效应管, 双MOSFET, 双P沟道FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6975  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 6 A, -30 V, 0.025 ohm, -10 V, -1.7 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) - -30.0 V -30.0 V

额定电流 - -8.00 A -6.00 A

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.017 Ω 32 mΩ 0.025 Ω

极性 Dual P-Channel P-Channel, Dual P-Channel P-Channel, Dual P-Channel

耗散功率 2 W 2 W 2 W

产品系列 - IRF7328 -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 8A -8.00 A -6.00 A

输入电容(Ciss) 2675pF @25V(Vds) 2675pF @25V(Vds) 1540pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W 900 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

通道数 2 - 2

输入电容 - - 1.54 nF

栅电荷 - - 14.5 nC

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

上升时间 15 ns - 22 ns

下降时间 98 ns - 18 ns

耗散功率(Max) 2 W - 2 W

额定功率 2 W - -

阈值电压 2.5 V - -

长度 5 mm 5 mm 5 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

宽度 3.9 mm - 3.9 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Unknown

包装方式 Tube Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99

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