AUIRFS4410Z和IRFS4410ZTRLPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRFS4410Z IRFS4410ZTRLPBF PSMN9R5-100BS

描述 INFINEON  AUIRFS4410Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 97 A, 100 V, 0.0072 ohm, 10 V, 2 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。NXP  PSMN9R5-100BS  晶体管, MOSFET, N沟道, 89 A, 100 V, 0.00816 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0072 Ω 0.0072 Ω 0.00816 Ω

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 230 W 230 W 211 W

阈值电压 2 V 4 V 3 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 97A 97A -

上升时间 52 ns 52 ns -

输入电容(Ciss) 4820pF @50V(Vds) 4820pF @50V(Vds) -

额定功率(Max) - 230 W -

下降时间 57 ns 57 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 230W (Tc) 230W (Tc) -

长度 - 10.67 mm -

宽度 - 11.3 mm -

高度 - 4.83 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Exempt

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC

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