MTD2955VG和MTD2955VT4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MTD2955VG MTD2955VT4 MTD2955V1

描述 功率MOSFET的12A , 60V P沟道DPAK Power MOSFET 12A, 60V P-Channel DPAK功率MOSFET的12A , 60V P沟道DPAK Power MOSFET 12A, 60V P-Channel DPAKTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3Pin(3+Tab) IPAK Rail

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 DPAK TO-252-3 TO-251

引脚数 - 3 3

极性 P-CH - -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -

连续漏极电流(Ids) 12A 12.0 A -

上升时间 - 50 ns 50 ns

输入电容(Ciss) - 770pF @25V(Vds) 550pF @25V(Vds)

下降时间 - 39 ns 39 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 60W (Tc) 60000 mW

额定电压(DC) - -60.0 V -

额定电流 - -12.0 A -

耗散功率 - 60W (Tc) -

封装 DPAK TO-252-3 TO-251

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) Rail

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

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