对比图
型号 FDC654P RRQ030P03TR FDC658P
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC654P 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.6 A, -30 V, 0.063 ohm, -10 V, -1.9 VP 通道 MOSFET 晶体管，ROHM### MOSFET 晶体管，ROHM SemiconductorFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC658P 晶体管, MOSFET, P沟道, -4 A, -30 V, 0.041 ohm, -10 V, -1.7 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 TSOT-23-6
通道数 - 1 -
针脚数 6 6 6
漏源极电阻 0.063 Ω 55 mΩ 0.041 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 1.6 W 1.25 W 1.6 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 -30.0 V 30 V -30.0 V
连续漏极电流(Ids) 3.60 A 3A -4.00 A
上升时间 13 ns 18 ns 14 ns
输入电容(Ciss) 298pF @15V(Vds) 480pF @10V(Vds) 750pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 800 mW 1.25 W 800 mW
下降时间 6 ns 35 ns 16 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1.6W (Ta) 600mW (Ta) 1.6W (Ta)
额定电压(DC) -30.0 V - -30.0 V
额定电流 -3.60 A - -4.00 A
输入电容 298 pF - 750 pF
栅电荷 6.20 nC - 8.00 nC
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V
长度 3 mm 3 mm 3 mm
宽度 1.7 mm 1.8 mm 1.7 mm
高度 1 mm 0.95 mm 1 mm
封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 TSOT-23-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Discontinued at Digi-Key Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - EAR99