对比图
型号 BC327-025G BC327-25RL1G BC327-25-AP
描述 NPN 晶体管，最大 1A，ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管ON SEMICONDUCTOR BC327-25RL1G 双极晶体管Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 3Pin TO-92 Ammo
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Micro Commercial Components (美微科)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3
频率 260 MHz 260 MHz 260 MHz
额定电压(DC) -45.0 V -45.0 V -
额定电流 -800 mA -800 mA -
针脚数 - 3 -
极性 PNP PNP, P-Channel -
耗散功率 1.5 W 1.5 W 0.625 W
击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V
集电极最大允许电流 - 0.8A -
最小电流放大倍数(hFE) 160 @100mA, 1V 160 @100mA, 1V 160 @100mA, 1V
额定功率(Max) 625 mW 1.5 W 625 mW
直流电流增益(hFE) - 160 -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1500 mW 1500 mW 625 mW
增益频宽积 - - 260 MHz
最大电流放大倍数(hFE) - - 630
封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3
高度 5.33 mm - 4.7 mm
长度 5.2 mm - -
宽度 4.19 mm - -
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -