对比图
型号 FQP11N40C SPA06N80C3 IRF740APBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP11N40C 晶体管, MOSFET, N沟道, 10.5 A, 400 V, 0.43 ohm, 10 V, 4 VINFINEON SPA06N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 800 V, 0.78 ohm, 10 V, 3 VVISHAY IRF740APBF 场效应管, MOSFET, N沟道
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
额定电压(DC) 400 V 800 V 400 V
额定电流 10.5 A 6.00 A 10.0 A
额定功率 135 W 39 W 125 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.43 Ω 0.78 Ω 0.55 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 135 W 39 W 125 W
阈值电压 4 V 3 V 4 V
漏源极电压(Vds) 400 V 800 V 400 V
漏源击穿电压 400 V - 400 V
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 10.5 A 6.00 A 10.0 A
上升时间 89 ns 15 ns 35 ns
输入电容(Ciss) 1090pF @25V(Vds) 785pF @100V(Vds) 1030pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 135 W 39 W -
下降时间 81 ns 8 ns 22 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 135W (Tc) 39W (Tc) 125 W
输入电容 - - 1030pF @25V
长度 10.1 mm 10.65 mm 10.41 mm
宽度 4.7 mm 4.85 mm 4.7 mm
高度 9.4 mm 16.15 mm 9.01 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active -
包装方式 Rail, Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - -