BCP 53-16 E6327和BCP53-16

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCP 53-16 E6327 BCP53-16 BCP5316E6433HTMA1

描述 Trans GP BJT PNP 80V 1A 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/R低功率PNP晶体管 LOW POWER PNP TRANSISTORSOT-223 PNP 80V 1A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-223-4 TO-261-4 TO-261-4

引脚数 - 4 -

额定电压(DC) -80.0 V - -

额定电流 -1.00 A - -

耗散功率 2000 mW 1.6 W -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 2V 100 @150mA, 2V 100 @150mA, 2V

额定功率(Max) 2 W 1.6 W 2 W

耗散功率(Max) 2000 mW 1600 mW -

频率 - 50 MHz -

针脚数 - 4 -

直流电流增益(hFE) - 40 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

极性 - - PNP

集电极最大允许电流 - - 1A

封装 SOT-223-4 TO-261-4 TO-261-4

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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