对比图
描述 NPN通用放大器 NPN General Purpose Amplifier低噪声晶体管NPN硅 Low Noise Transistor NPN Silicon
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-226-3 TO-92-3
频率 - 100 MHz
额定电压(DC) 45.0 V 45.0 V
额定电流 100 mA 200 mA
额定功率 - 600 mW
极性 NPN NPN
耗散功率 625 mW 625 mW
增益频宽积 160 MHz 160 MHz
集电极击穿电压 - 45.0 V
击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V
集电极最大允许电流 - 0.2A
最小电流放大倍数(hFE) 500 @10mA, 5V 500 @10mA, 5V
额定功率(Max) 625 mW 625 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 625 mW
最大电流放大倍数(hFE) 1500 -
长度 5.2 mm 5.2 mm
宽度 4.19 mm 4.19 mm
高度 5.33 mm 5.33 mm
封装 TO-226-3 TO-92-3
材质 - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Unknown
包装方式 Bulk Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
ECCN代码 EAR99 EAR99