VP0109N3-G和VP0109ND

对比图

型号 VP0109N3-G VP0109ND 109N

描述 VP0109N3-G 袋装P-CH 60V 0.25A250mA, 90V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 MOS管

安装方式 Through Hole - -

引脚数 3 - -

封装 TO-92-3 - -

额定功率 1 W - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 6 Ω - -

极性 P-CH P-CH -

耗散功率 1 W - -

漏源极电压(Vds) 90 V 60 V -

连续漏极电流(Ids) 0.25A 0.25A -

上升时间 3 ns - -

输入电容(Ciss) 60 pF - -

下降时间 4 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 1W (Tc) - -

长度 5.21 mm - -

宽度 4.19 mm - -

高度 5.33 mm - -

封装 TO-92-3 - -

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Bag - -

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 无铅 - -

ECCN代码 EAR99 - -