CYDM064B16-55BVXI和CYDM064B16-55BVXIT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CYDM064B16-55BVXI CYDM064B16-55BVXIT CYDM256B16-55BVXI

描述 1.8V 4K / 8K / 16K ×16和8K / 16K ×8 MoBL㈢双口静态RAM 1.8V 4K/8K/16K x 16 and 8K/16K x 8 MoBL® Dual-Port Static RAMSRAM Chip Async Dual 1.8V 64Kbit 4K x 16 55ns 100Pin VFBGA T/RCYDM256B16 系列 256 Kb (16 K x 16) 1.8 V 55 ns 双端口 静态RAM FBGA-100

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 100 100 100

封装 VFBGA-100 BGA-100 VFBGA-100

电源电压(DC) 3.00 V - 3.00 V

供电电流 25 mA - 25 mA

位数 - 16 16

存取时间 55 ns 55 ns 55 ns

存取时间(Max) 55 ns 55 ns 55 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V - 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) - 1.9 V -

电源电压(Min) - 1.7 V -

高度 0.66 mm - 0.66 mm

封装 VFBGA-100 BGA-100 VFBGA-100

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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