对比图
型号 2SK2613(F) FQA8N100C
描述 TO-3PN N-CH 1000V 8AFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQA8N100C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 1 kV, 1.2 ohm, 10 V, 5 V
数据手册 --
制造商 Toshiba (东芝) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-3-3 TO-3-3
额定电压(DC) - 1.00 kV
额定电流 - 8.00 A
通道数 1 1
针脚数 - 3
漏源极电阻 1.7 Ω 1.2 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 150 W 225 W
阈值电压 4 V 5 V
漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V
漏源击穿电压 1000 V 1000 V
栅源击穿电压 - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 8.00 A 8.00 A
上升时间 20 ns 95 ns
输入电容(Ciss) - 3220pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 225 W
下降时间 30 ns 80 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 225W (Tc)
长度 15.5 mm 15.8 mm
宽度 4.5 mm 5 mm
高度 20 mm 18.9 mm
封装 TO-3-3 TO-3-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 PB free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99