IRFR3911PBF和STD15NF10T4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR3911PBF STD15NF10T4 STD10NF10T4

描述 Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3Pin(2+Tab) DPAKSTMICROELECTRONICS  STD15NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS  STD10NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 100 V, 130 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 N沟道MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 DPAK-252 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V

额定电流 14.0 A 23.0 A 13.0 A

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.065 Ω 0.13 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 56 W 70 W 50 W

阈值电压 - 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 14.0 A 23.0 A 13.0 A

上升时间 26.0 ns 45 ns 25 ns

输入电容(Ciss) - 870pF @25V(Vds) 460pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 70 W 50 W

下降时间 - 17 ns 8 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 70W (Tc) 50W (Tc)

额定功率 56 W - -

产品系列 IRFR3911 - -

长度 - 6.6 mm 6.6 mm

宽度 - 6.2 mm 6.2 mm

高度 - 2.4 mm 2.4 mm

封装 DPAK-252 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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