DS1249W-100IND和DS1249W-100IND#

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1249W-100IND DS1249W-100IND#

描述 IC NVSRAM 2Mbit 100NS 32DIPIC NVSRAM 2Mbit 100NS 32DIP

数据手册 --

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole -

引脚数 32 -

封装 DIP-32 EDIP-32

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) -

时钟频率 100 GHz -

存取时间 100 ns -

内存容量 2000000 B -

工作温度(Max) 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

长度 53.34 mm -

宽度 18.8 mm -

高度 10.29 mm -

封装 DIP-32 EDIP-32

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Bulk Tube, Rail

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead PB free

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