对比图
型号 IPD50P04P4L-11 SUD50P04-15 AOD4185
描述 INFINEON IPD50P04P4L-11 晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -40 V, 0.0082 ohm, -10 V, -1.7 VTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3Pin(2+Tab)-40V,-40A,P沟道MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3
引脚数 3 - -
漏源极电阻 0.0082 Ω 24.0 mΩ -
极性 P-Channel P-Channel P-CH
耗散功率 58 W 100 W 62.5 W
漏源极电压(Vds) 40 V -40.0 V 40 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 50A 50.0 A 50A
额定功率 - - 31 W
输入电容(Ciss) 3900pF @25V(Vds) - 2550pF @20V(Vds)
额定功率(Max) 58 W - 62.5 W
耗散功率(Max) 58W (Tc) - 2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
通道数 1 - -
针脚数 3 - -
阈值电压 2.2 V - -
漏源击穿电压 40 V - -
上升时间 9 ns - -
下降时间 39 ns - -
工作温度(Max) 175 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3
长度 6.5 mm - -
宽度 6.22 mm - -
高度 2.3 mm - -
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
ECCN代码 EAR99 - -