对比图
型号 IRF5210L IRF5210STRLPBF IRF5210LPBF
描述 TO-262P-CH 100V 40AINFINEON IRF5210STRLPBF 场效应管, MOSFET, P沟道, -100V, 40A D2-PAK, 整卷INFINEON IRF5210LPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 40 A, -100 V, 60 mohm, -10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
封装 TO-262-3 TO-263-3 TO-262-3
引脚数 - 3 3
极性 P-CH P-CH P-Channel
耗散功率 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.8 W 200 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 40A 38A 38A
输入电容(Ciss) 2700pF @25V(Vds) 2780pF @25V(Vds) 2780pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.1W (Ta), 170W (Tc) 3.1W (Ta), 170W (Tc)
额定功率 - 3.8 W 200 W
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.06 Ω 0.06 Ω
阈值电压 - 4 V 4 V
上升时间 - 63 ns 63 ns
额定功率(Max) - 3.1 W 3.1 W
下降时间 - 55 ns 55 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
通道数 - 1 -
漏源击穿电压 - 100 V -
封装 TO-262-3 TO-263-3 TO-262-3
长度 - 10.67 mm 10.54 mm
宽度 - 9.65 mm 4.69 mm
高度 - 4.83 mm 10.54 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17