对比图
型号 FQD2N90TM STD3NK90ZT4 STD2NK90ZT4
描述 900V,1.7A,7.2Ω,N沟道增强型功率MOSFETN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STD2NK90ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.1 A, 900 V, 5 ohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 900 V 900 V 900 V
额定电流 1.70 A 3.00 A 2.10 A
通道数 1 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 7.2 Ω 4.1 Ω 5 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 90 W 70 W
阈值电压 - 3.75 V 3.75 V
漏源极电压(Vds) 900 V 900 V 900 V
漏源击穿电压 900 V 900 V 900 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 1.70 A 3.00 A 2.10 A
上升时间 35 ns 7 ns 11 ns
输入电容(Ciss) 500pF @25V(Vds) 590pF @25V(Vds) 485pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 90 W 70 W
下降时间 30 ns 18 ns 40 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 90W (Tc) 70W (Tc)
长度 6.73 mm 6.6 mm 6.6 mm
宽度 6.22 mm 6.2 mm 6.2 mm
高度 2.39 mm 2.4 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99