对比图
型号 PD57070-E PD57070S PD57070S-E
描述 RF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER Transistors, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETsRF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILYRF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER Transistors, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 晶体管晶体管晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF PowerSO-10RF
频率 945 MHz 945 MHz 945 MHz
耗散功率 95000 mW 95 W 95000 mW
输出功率 70 W 70 W 70 W
增益 14.7 dB 14.7 dB 14.7 dB
测试电流 250 mA 250 mA 250 mA
输入电容(Ciss) 91pF @28V(Vds) - 91pF @28V(Vds)
工作温度(Max) 165 ℃ 150 ℃ 165 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ 65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 95000 mW - 95000 mW
额定电压 65 V 65 V 65 V
极性 - N-Channel -
漏源击穿电压 - 65 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) - 7.00 A -
封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF PowerSO-10RF
长度 - 7.5 mm -
宽度 - 9.4 mm -
高度 - 3.5 mm -
工作温度 -65℃ ~ 165℃ - -65℃ ~ 165℃
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 - EAR99