对比图
描述 Trans MOSFET N-CH 30V 59A 3Pin(2+Tab) D2PAKN 通道 MOSFET，已停产### MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点（称作源极和漏极）之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。
数据手册 --
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 D2PAK-263 TO-263-3
额定电压(DC) 30.0 V -
额定电流 59.0 A -
额定功率 57 W -
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 57 W 70 W
产品系列 IRF3707ZCS -
漏源极电压(Vds) 30.0 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 59.0 A 80A
上升时间 41.0 ns 91 ns
漏源极电阻 - 0.0037 Ω
阈值电压 - 1 V
输入电容(Ciss) - 2200pF @25V(Vds)
下降时间 - 23.4 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 70W (Tc)
封装 D2PAK-263 TO-263-3
长度 - 10.75 mm
宽度 - 10.4 mm
高度 - 4.6 mm
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs
包装方式 Bulk Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
工作温度 - 175℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99