对比图
型号 IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20NAAKSA1
描述 INFINEON IPP110N20N3GXKSA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 88 A, 200 V, 0.0099 ohm, 10 V, 3 VInfineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP110N20NAAKSA1, 88 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220
额定功率 300 W 300 W
通道数 1 -
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.0099 Ω 0.0099 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 300 W 300 W
阈值电压 3 V 3 V
输入电容 5340 pF -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 88A 88A
上升时间 26 ns 26 ns
输入电容(Ciss) 5340pF @100V(Vds) 5340pF @100V(Vds)
下降时间 11 ns 11 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300 W 300 W
长度 10.36 mm 10.36 mm
宽度 4.4 mm 4.57 mm
高度 9.45 mm 15.95 mm
封装 TO-220-3 TO-220
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
工作温度 - -55℃ ~ 175℃