2N2906AUB和JANS2N2906AUB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N2906AUB JANS2N2906AUB JANTX2N2906AUB

描述 抗辐射 RADIATION HARDENEDPNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTORPNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SMD-3 UB SMD-3

引脚数 4 - 4

极性 - PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 - 0.6A 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 10V - 40 @150mA, 10V

额定功率(Max) 500 mW - 500 mW

工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 500 mW - 500 mW

封装 SMD-3 UB SMD-3

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bulk Pack

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台