对比图
型号 RFP50N06 RFP70N06 NTP60N06LG
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFP50N06 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 22 mohm, 10 V, 4 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFP70N06 晶体管, MOSFET, N沟道, 70 A, 60 V, 14 mohm, 10 V, 4 V60V,60A功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V
额定电流 50.0 A 70.0 A 60.0 A
额定功率 131 W 150 W -
通道数 1 - -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 22 mΩ 14 mΩ 16.0 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 131 W 150 W 150 W
阈值电压 4 V 4 V -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60 V 60.0 V 60.0 V
连续漏极电流(Ids) 50.0 A 70.0 A 60.0 A
上升时间 55 ns 137 ns 576 ns
输入电容(Ciss) 2020pF @25V(Vds) 2250pF @25V(Vds) 3075pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 131 W 150 W 2.4 W
下降时间 13 ns 24 ns 237 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 131 W 150W (Tc) 2.4 W
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±15.0 V
长度 10.67 mm 10.67 mm 10.28 mm
宽度 4.83 mm 4.83 mm 4.82 mm
高度 9.4 mm 9.4 mm 9.28 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99