RFP50N06和RFP70N06

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RFP50N06 RFP70N06 NTP60N06LG

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  RFP50N06  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 22 mohm, 10 V, 4 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  RFP70N06  晶体管, MOSFET, N沟道, 70 A, 60 V, 14 mohm, 10 V, 4 V60V,60A功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V

额定电流 50.0 A 70.0 A 60.0 A

额定功率 131 W 150 W -

通道数 1 - -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 22 mΩ 14 mΩ 16.0 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 131 W 150 W 150 W

阈值电压 4 V 4 V -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60 V 60.0 V 60.0 V

连续漏极电流(Ids) 50.0 A 70.0 A 60.0 A

上升时间 55 ns 137 ns 576 ns

输入电容(Ciss) 2020pF @25V(Vds) 2250pF @25V(Vds) 3075pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 131 W 150 W 2.4 W

下降时间 13 ns 24 ns 237 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 131 W 150W (Tc) 2.4 W

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±15.0 V

长度 10.67 mm 10.67 mm 10.28 mm

宽度 4.83 mm 4.83 mm 4.82 mm

高度 9.4 mm 9.4 mm 9.28 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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