IRF640B和IRFS630B

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF640B IRFS630B APT5025BN

描述 200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFETTO-247 N-CH 500V 23A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Microsemi (美高森美)

分类

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - - 3

封装 TO-220 TO-220 TO-247

极性 N-CH N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 18A 9A 23A

上升时间 - - 27 ns

输入电容(Ciss) - - 2380pF @25V(Vds)

下降时间 - - 36 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 310000 mW

封装 TO-220 TO-220 TO-247

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant - Non-Compliant

含铅标准 Lead Free - -

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