MUN2134T1和MUN2134T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN2134T1 MUN2134T1G BCR192E6327HTSA1

描述 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors偏置电阻晶体管 Bias Resistor TransistorsInfineon BCR192E6327HTSA1 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 22 kΩ, 电阻比:0.47, 3引脚 SOT-23封装

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SOT-23-3 SC-59 SOT-23-3

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -50.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA -100 mA

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 230 mW 338 mW 0.2 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V - 70 @5mA, 5V

额定功率(Max) 230 mW - 200 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

增益带宽 - - 200 MHz

耗散功率(Max) - 338 mW 200 mW

最大电流放大倍数(hFE) 80 - -

无卤素状态 - Halogen Free -

长度 2.9 mm - 2.9 mm

宽度 1.5 mm - 1.3 mm

高度 1.09 mm - 0.9 mm

封装 SOT-23-3 SC-59 SOT-23-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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