CY7C1314CV18-167BZC和CY7C1314V18-167BZC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1314CV18-167BZC CY7C1314V18-167BZC CY7C1314BV18-167BZI

描述 18 - Mbit的QDR - II⑩ SRAM 2字突发架构 18-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture勘误文档的CY7C1312V18 & CY7C1314V18 Errata Document for CY7C1312V18 & CY7C1314V1818兆位QDR⑩ - II SRAM的2字突发架构 18-Mbit QDR⑩-II SRAM 2 Word Burst Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

封装 FBGA-165 FBGA FBGA-165

引脚数 165 - -

电源电压 1.7V ~ 1.9V - 1.7V ~ 1.9V

位数 36 - -

存取时间(Max) 0.5 ns - -

工作温度(Max) 70 ℃ - -

工作温度(Min) 0 ℃ - -

封装 FBGA-165 FBGA FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ - -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Bulk -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 -

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