对比图
型号 IRF7317TRPBF MMDF2C03HDR2G IRF7317PBF
描述 INFINEON IRF7317TRPBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.6 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 700 mV2A,30V,SO-8,N/P沟道功率双MOSFETINTERNATIONAL RECTIFIER IRF7317PBF 双路场效应管, N/P通道, MOSFET, 20V, SOIC 新
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定功率 2 W - -
针脚数 8 - 8
漏源极电阻 0.023 Ω 70 mΩ 0.023 Ω
极性 N-Channel, P-Channel Dual N-Channel, Dual P-Channel N-Channel, P-Channel
耗散功率 2 W 2 W 2 W
阈值电压 700 mV - 700 mV
漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 20 V
连续漏极电流(Ids) 6.6A/5.3A 4.10 A 6.60 A
正向电压(Max) 1 V - -
输入电容(Ciss) 900pF @15V(Vds) 630pF @24V(Vds) 900pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2 W 2 W -
额定电流 - 2.00 A 6.60 A
产品系列 - - IRF7317
漏源击穿电压 - 30 V 20.0 V
热阻 - - 62.5 K/W
额定电压(DC) - 30.0 V -
通道数 - 2 -
输入电容 - 630 pF -
栅电荷 - 16.0 nC -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
长度 5 mm 5 mm 5 mm
宽度 4 mm 4 mm -
高度 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
材质 Silicon - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 - EAR99 -