MMDF2C03HDR2G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MMDF2C03HDR2G概述

2A,30V,SO-8,N/P沟道功率双MOSFET

Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.1A, 3A 2W Surface Mount 8-SOIC

得捷:
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC

贸泽:
MOSFET COMP S08C 30V 4.1A 70mOhm

艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8-Pin SOIC N T/R

安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8-Pin SOIC N T/R

力源芯城:
2A,30V,SO-8,N/P沟道功率双MOSFET

Win Source:
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC

MMDF2C03HDR2G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 2.00 A

通道数 2

漏源极电阻 70 mΩ

极性 Dual N-Channel, Dual P-Channel

耗散功率 2 W

输入电容 630 pF

栅电荷 16.0 nC

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 4.10 A

输入电容Ciss 630pF @24VVds

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMDF2C03HDR2G

型号： MMDF2C03HDR2G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：2A,30V,SO-8,N/P沟道功率双MOSFET

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替代型号MMDF2C03HDR2G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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