对比图
型号 SI6463BDQ-T1-E3 ZXM66P02N8TC SI6463BDQ-T1-GE3
描述 P-CH MOSFET TSSOP-8 20V 15MOHM @ 4.5VMOSFET P-CH 20V 6.4A 8SOICMOSFET 20V 7.4A 1.5W 15mohm @ 4.5V
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Diodes (美台) Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 TSSOP-8 SOIC-8 TSSOP-8
漏源极电阻 0.015 Ω 45.0 mΩ -
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 1.05 W 1.56W (Ta) 1.05W (Ta)
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
连续漏极电流(Ids) -7.40 A 8.00 A -7.40 A
热阻 120℃/W (RθJA) - -
下降时间 150 ns 98.4 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 1.05W (Ta) 1.56W (Ta) 1.05W (Ta)
额定电压(DC) - -20.0 V -
额定电流 - -8.00 A -
输入电容 - 2.07 nF -
栅源击穿电压 - ±12.0 V -
上升时间 - 44.3 ns -
输入电容(Ciss) - 2068pF @15V(Vds) -
长度 4.5 mm - -
高度 1.05 mm - -
封装 TSSOP-8 SOIC-8 TSSOP-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC