对比图
描述 Power Field Effect TransistorN沟道500V - 2.5ohm - 3.8A - TO- 220 / TO- 220FP PowerMesh⑩ MOSFET N-CHANNEL 500V - 2.5ohm - 3.8A - TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩ MOSFETTrans MOSFET N-CH Si 500V 3A 3Pin(3+Tab) TO-220AB
数据手册 ---
制造商 Motorola (摩托罗拉) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管
引脚数 - - 3
封装 - TO-220-3 TO-220
安装方式 - Through Hole -
上升时间 - 8 ns 14 ns
输入电容(Ciss) - 400pF @25V(Vds) 435pF @25V(Vds)
下降时间 - 5 ns 20 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - 65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 80W (Tc) 50000 mW
额定电压(DC) - 500 V -
额定电流 - 3.80 A -
通道数 - 1 -
漏源极电阻 - 2.5 Ω -
极性 - N-Channel -
耗散功率 - 80 W -
输入电容 - 400 pF -
栅电荷 - 21.0 nC -
漏源极电压(Vds) - 500 V -
漏源击穿电压 - 500 V -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) - 3.80 A -
额定功率(Max) - 80 W -
封装 - TO-220-3 TO-220
长度 - 10.4 mm -
宽度 - 4.6 mm -
高度 - 9.15 mm -
材质 - - Silicon
工作温度 - 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown
包装方式 - Tube -
RoHS标准 - Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Contains Lead -