L6392DTR和L6393DTR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 L6392DTR L6393DTR L6393D

描述 半桥 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:430mA半桥 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:430mASTMICROELECTRONICS  L6393D  驱动器, IGBT, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 430mA输出, 125ns延迟, SOIC-14

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 14 14 14

封装 SO-14 SOIC-14 SOIC-14

上升/下降时间 75ns, 35ns 75ns, 35ns 75ns, 35ns

输出接口数 1 1 1

耗散功率 800 mW 0.8 W 800 mW

下降时间(Max) 70 ns 70 ns 70 ns

上升时间(Max) 120 ns 120 ns 120 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 800 mW 800 mW 800 mW

电源电压 12.5V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V

频率 - 0.8 MHz 0.8 MHz

上升时间 - 120 ns 75 ns

下降时间 - 70 ns 35 ns

电源电压(DC) - - 10.0V (min)

输出电压 - - 580 V

针脚数 - - 14

电源电压(Max) - - 20 V

电源电压(Min) - - 10 V

封装 SO-14 SOIC-14 SOIC-14

长度 - - 8.75 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.65 mm

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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